ERM-EG001 硅中注入的銻（Sb原子的面密度、同位素?cái)?shù)量比）

        該樣品是一個(gè)10毫米×10毫米的硅片，具有熱生長的表面氧化物層和注入能量為400keV的Sb離子。

品牌：IRMM標(biāo)準(zhǔn)品/ERM標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)

CRM code（貨號）：ERM-EG001

Description：ANTIMONY IMPLANTED IN SILICON (areal density of Sb atoms, isotope amount ratio)

描述：硅中注入的銻（Sb原子的面密度、同位素?cái)?shù)量比）

Net mass（產(chǎn)品規(guī)格）：1.5g

ERM-EG001 硅中注入的銻（Sb原子的面密度、同位素?cái)?shù)量比）

       使用說明：

       Sb原子的面密度的認(rèn)證值適用于尺寸小于0.15 mm2的芯片表面部分。如果使用較小的尺寸進(jìn)行分析，則必須分析足夠數(shù)量的不同位置，以確保具有代表性的采樣。CRM的植入側(cè)是拋光的、反射的一側(cè)。參考材料不得加熱至150°C以上。

       儲存方法：材料應(yīng)在干燥清潔的環(huán)境中儲存在環(huán)境條件下。歐盟委員會不對材料在客戶場所儲存期間發(fā)生的變化負(fù)責(zé)，尤其是打開的樣品。